Promotion (m/w/d)

Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 74 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft - genauer: 30 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern - für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen.

• INNOVATIONEN AUS EINER HAND
• VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenzschaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

• Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Bauelemente und Schaltungen für Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Auf Basis der Hochfrequenzmodule werden Systeme für Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik entwickelt. Darüber hinaus sind wir mit modernster Messtechnik bestens ausgestattet.
• Nutzen Sie unsere weltweit führende GaN-Technologie, um Hochleistungssysteme der nächsten Generation zu entwickeln. Im Rahmen Ihrer Promotion entwerfen Sie auf Basis unseres 100-V-GaN-Prozesses integrierte Hochfrequenzschaltungen (MMICs) für unterschiedlichste Kommunikations- und Radaranwendungen, die höchste Leistung und maximale Effizienz erfordern.

Zu Ihren Aufgaben gehören:

• Sie entwerfen integrierte Hochfrequenzschaltungen auf Basis unserer weltweit führenden 100-V-GaN-HEMT-Technologie für Anwendungen bis 12 GHz.
• Sie optimieren Bauelemente hinsichtlich ihrer HF-Performance für Betriebsspannungen bis zu 200 V und erforschen innovative Entwärmungskonzepte, beispielsweise Diamant-Topside-Cooling.
• Mithilfe von EM-Feldanalysen analysieren Sie die Eigenschaften von GaN-HEMTs und entwickeln unsere Simulationsmethodik kontinuierlich weiter.
• Sie begleiten Entwicklungsprozesse von der Entwurfsphase bis zur messtechnischen Charakterisierung - mit viel Raum für eigene Ideen.
• Darüber hinaus führen Sie Messungen durch, werten die Ergebnisse aus und publizieren diese in renommierten Fachzeitschriften und präsentieren sie auf internationalen Konferenzen.

• Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik bzw. Physik
• Sicherer Umgang mit Schaltungs- und EM-Simulationsprogrammen (z. B. ADS, CST, HFSS)
• Fachwissen in der messtechnischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, z. B. mittels S-Parameter- und Load-Pull-Messungen
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse
• Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke sowie eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise

• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
• Möglichkeit zur Spezialisierung und zum interdisziplinären Arbeiten durch breit gefächerte Forschungsbereiche
• Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
• Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
• Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
• Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten
• Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen
• Umfangreiche Zusatzleistungen, wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket / Jobticket sowie vielfältige Gesundheits...